穀研試劑-中科院微電子所采用ALD技術顯著提升發光器件效率

中科院微電子所采用ALD技術顯著提升發光器件效率

日前，中國科學院微電子研究所將先進的原子層沉積技術應用於(yu) 高光效半導體(ti) 發光器件的研究取得顯著進展。

上世紀80年代，原子層沉積(Atomic Layer Deposition，ALD)zui初由芬蘭(lan) 科學家提出並應用於(yu) 平板顯示器件中Al2O3絕緣膜的沉積。2007年英特爾公司將原子層沉積技術引入45納米節點及以後的集成電路製造工藝，由於(yu) 其沉積參數的高度可控性(厚度，成份和結構)，優(you) 異的沉積均勻性和一致性使得其在微電子領域獲得了廣泛的應用。

中國科學院微電子所四室劉洪剛研究員針對工業(ye) 界常用的電子束方法製備分布式布拉格反射鏡(DBR)存在厚度不均勻、生產(chan) 效率低等缺點，提出采用原子層沉積技術研製高性能分布式布拉格反射鏡(DBR)的設想以提升半導體(ti) 發光器件的光提取效率，他帶領的科研團隊通過開展ALD-DBR的材料篩選、結構設計、沉積工藝、光學測量等方麵的係統研究，研製出適於(yu) ALD大規模生產(chan) 的Al2O3/TiO2新型DBR結構並成功應用於(yu) 高光效氮化镓基發光二極管(GaN LED)的製造，使GaN LED的光輸出功率提高43%以上。

該科研團隊的研究成果已經在專(zhuan) 業(ye) 期刊APEX上發表(Applied Physics Express 6(203) 0220)，成為(wei) 當月下載量zui多的20篇論文之一。該成果受到與(yu) 國內(nei) 同行的廣泛關(guan) 注，先後被Semiconductor Today、LED Professional、LEDs科技等專(zhuan) 業(ye) 雜誌與(yu) 的專(zhuan) 門報道，同時芬蘭(lan) ALD製造商BENEQ公司與(yu) 該團隊達成了合作開發該技術的意向。