穀研試劑-美開發出迄今Z小砷化銦镓晶體管

美開發出迄今zui小砷化銦镓晶體(ti) 管

    據物理學家組織網近日報道，美國麻省理工學院科學家開發出了有史以來zui小的砷化銦镓晶體(ti) 管。該校微係統技術實驗室科研團隊開發的這個(ge) 複合晶體(ti) 管，長度僅(jin) 為(wei) 22納米。研究團隊近日在舊金山舉(ju) 行的電子設備會(hui) 議上介紹了該項研究成果。

    麻省理工學院電氣工程和計算機科學係教授德爾·阿拉莫表示，隨著矽晶體(ti) 管降至納米尺度，器件產(chan) 生的電流量也不斷減小，從(cong) 而限製了其運行速度，這將導致摩爾定律逐漸走到盡頭。為(wei) 了延續摩爾定律，研究人員一直在尋找矽的替代品，以能在較小尺度上產(chan) 生較大電流。其中之一便是砷化銦镓，已用於(yu) 光纖通信和雷達技術的該化合物具有*的電氣性能。

    阿拉莫團隊的研究表明，使用砷化銦镓創建一個(ge) 納米尺寸的金屬氧化物半導體(ti) 場效應晶體(ti) 管（MOSFET）是可能的，MOSFET是微處理器等邏輯應用中zui常用的類型。晶體(ti) 管包括3個(ge) 電極：柵極、源極和漏極，由柵極控製其他兩(liang) 極之間的電流。由於(yu) 這些微小晶體(ti) 管的空間十分緊張，3個(ge) 電極必須被放置得相互非常接近，但即便使用精密的工具，也很難達到水平。阿拉莫團隊則實現了晶體(ti) 管柵極在其他兩(liang) 個(ge) 電極之間進行“自對準”。

    研究人員首先使用分子束外延法生長出薄層的砷化銦镓材料，然後在源極和漏極上沉積一層金屬鉬。研究人員使用電子聚焦束在該基底上“畫”出一個(ge) 極其精細的圖案，然後蝕刻掉材料不想要的區域，柵氧化物便沉積到微小的間隙上。zui後，將鉬蒸汽噴在表麵上形成的柵極，可緊緊地擠壓在其他兩(liang) 個(ge) 電極之間。

    阿拉莫表示，通過刻蝕和沉積相結合，柵極就能安放在四周間隙極小的電極之間。他們(men) 的下一步目標將是，通過消除器件內(nei) 多餘(yu) 的阻力來進一步改善晶體(ti) 管的電氣性能，並提高其運行速度。一旦實現此一目標，他們(men) 將進一步縮減器件尺寸，zui終將晶體(ti) 管的柵極長度減至0納米以下。